Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
وحدة IGBT
Created with Pixso.

وحدة IGBT المدمجة والخفيفة الوزن KES650H12A8L-2M لتركيبات توفير المساحة

وحدة IGBT المدمجة والخفيفة الوزن KES650H12A8L-2M لتركيبات توفير المساحة

الاسم التجاري: Krunter
رقم الطراز: KES650H12A8L-2M
معلومات مفصلة
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
إبراز:

وحدة IGBT المدمجة,وحدة IGBT توفير المساحة,وحدة IGBT خفيفة الوزن

,

Space-Saving IGBT Module

,

Lightweight IGBT Module

وصف المنتج

KES650H12A8L-2M

  • كثافة طاقة عالية مع تقنية Trench FS IGBT

  • انخفاض VCE ((sat)

  • تم تمكين التشغيل بالتوازي ؛ تصميم متماثل و معامل درجة حرارة إيجابي

  • تصميم الحثية المنخفضة

  • مستشعر درجة حرارة متكامل NTC

  • لوحة قاعدة معزولة باستخدام تكنولوجيا DBC

  • التصميم المدمج والقوي مع المحطات المصبوبة

مخطط الدائرة الداخلية

وحدة IGBT المدمجة والخفيفة الوزن KES650H12A8L-2M لتركيبات توفير المساحة 0

معايير المواصفات

النوع VBR
فولت
VGS ((ث)
فولت
هوية
آمبرات
RDS ((على))
الـ IDSS
يو إيه
(تي جيه) الرابع ((JC)
كيلوغرام
Ptot
واط
الدوائر الحزمة التكنولوجيا
KES400H12A8L-2M 1200 فولت 3.2 فولت 400A 3.7mΩ 200 يو إيه 175 درجة مئوية 0.064 2230W 2 علبة الـ ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200 فولت 3.2 فولت 650A 2.2mΩ 200 يو إيه 175 درجة مئوية 0.064 3200 واط 2 علبة SIC MOSFET


وحدة IGBT المدمجة والخفيفة الوزن KES650H12A8L-2M لتركيبات توفير المساحة 1